里卡多开发基于GaN的EV逆变器设计
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  Nexperia宣布与著名的汽车工程咨询公司Ricardo建立合作伙伴关系,以生产基于氮化镓(GaN)技术的EV逆变器的技术演示器。

  GaN是这些应用的首选开关,因为GaN FET可以以更低的成本带来更高的效率,更高的热性能和更简单的开关拓扑。以汽车术语来说,这意味着汽车的行驶范围更大-对于希望购买电动汽车的任何人来说,这都是主要问题。现在,GaN即将取代硅基IGBT和SiC,成为插电式混合动力或全电池电动汽车中使用的牵引逆变器的首选技术。

  Nexperia去年宣布了一系列经AEC-Q101批准的GaN器件,以这种高效技术为汽车设计人员提供了范围广泛的经过验证的可靠器件,可提供动力总成电气化所需的功率密度。里卡多在汽车行业享有很高的声誉,这家全球工程创新公司设计和咨询汽车行业内的概念,包括原型和演示的制造,并与迈凯伦和布加迪等知名品牌合作。里卡多是Nexperia在该项目上的完美合作伙伴。

  Nexperia GaN总经理Michael LeGoff说:“通过将GaN器件设计成逆变器并通过里卡多进行试验,我们将能够更好地理解如何安全可靠地驾驶车辆。我们正在开发一种真正的解决方案,我认为许多汽车设计师将对此感兴趣,并会发现它们非常有利。”

  里卡多(Ricardo)技术与产品总监Adrian Greaney:“半导体技术是逆变器系统效率及其在电动汽车性能和效率中所起的作用的关键。通过在开关速度和效率方面带来显着优势,氮化镓是一项真正的使能技术。除了扩大范围外,它还使我们能够减小逆变器的包装尺寸和重量,从而提供更大的动力总成设计灵活性,并有助于减轻汽车重量。当我们从系统层面来看设计时,还有很多相关的好处,因此,里卡多很高兴与GaN器件上的Nexperia合作。” 相关的主题文章:
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作者:大雨↘无声分类:足球赛事发布于:2020-02-29 09:37
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